Samsung podría comenzar la producción en masa de nuevos chips mediante un proceso de 2 nanómetros en 2025, según informa importante blog de tecnología.
Este proceso de 2 nm utilizará la tecnología Gate-All-Around (GAA) de próxima generación, y la producción en masa comenzará en 2025 en lugar de la producción de prueba. Samsung demostrará por primera vez esta tecnología en las próximas conferencias de la industria.
GAA es un nuevo diseño de transistor que mejora la eficiencia y el rendimiento mediante un mejor flujo de corriente. Samsung introdujo por primera vez la tecnología GAA en su proceso de 3 nm, pero hasta ahora la tecnología sólo se utiliza en sus propios chips Exynos.
En comparación con los chips de 5 nm, el chip GAA de 3 nm de primera generación proporciona mejoras significativas en el rendimiento y la eficiencia energética al tiempo que reduce el área del chip.
Para empezar, Samsung planea comenzar la producción en masa de chips utilizando tecnología GAA de 3 nm de segunda generación más adelante en 2024. Aunque su principal competidor (TSMC) aún no ha adoptado la tecnología GAA, se espera que ambas empresas como Intel, la utilicen en sus futuros procesos de 2 nm.