¿La RAM se está quedando corta? Pues parece que a NEO Semiconductor eso ya le aburrió y para acabar con ello, acaban de lanzar al mundo dos nuevos diseños de celdas de memoria: La 1T1C (un transistor y un condensador) y la 3T0C (tres transistores sin condensador).
Y sí, todo esto suena a siglas raras, pero lo que importa es lo que prometen: una capacidad 10 veces mayor a la de la RAM que usamos hoy en día, ¡10 Veces!
Y están apuntando a que los primeros chips de prueba estén listos en 2026. ¿Lo +loco?
Cada módulo podría tener hasta 512 Gb o sea, 64 GB en un solo chip.
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A eso súmale velocidades de lectura/escritura de 10 nanosegundos y una retención de datos de más de 9 minutos.. Estamos hablando de cifras que ya rozan lo futurista.
¿Qué tiene que ver el material de pantallas con esto?
Lo curioso es que esta nueva tecnología no viene de la nada. Se basa en el uso de óxido de indio, galio y zinc (IGZO), un material más conocido por su uso en pantallas pero que aquí permite apilar las celdas como en las memorias 3D NAND.
Esto abre la puerta a hacer chips más densos, rápidos y que además consumen menos energía.
Y lo mejor: NEO asegura que con unas cuantas modificaciones, las fábricas que ya producen NAND 3D podrían adaptarse para fabricar esta nueva memoria.
Menos inversión, más innovación.
¿Es ahora o nunca para la DRAM?
El propio CEO de NEO, Andy Hsu, fue claro: esto es un cambio de juego.
Según él, estas nuevas celdas superan las limitaciones actuales de la DRAM que ya venía topándose con muros en cuanto a escalabilidad.
Aunque claro, los CEOs siempre venden entusiasmo a lo grande.. pero en este caso, la cosa pinta real.
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Especialmente si lo comparamos con inventos pasados de la misma empresa que eran mucho más de nicho (como la 3D X-AI para sistemas de IA personalizados).
¿La DRAM tradicional estás temblando?
Este mes, NEO mostrará más detalles de estas tecnologías en el IEEE IMW.
Y no será fácil: hay otras propuestas como la DRAM+ basada en FeRAM intentando conquistar el trono y gigantes como SK hynix siguen apostando a lo seguro: hacer módulos DRAM más grandes sin salirse del molde.
Pero bueno, cuando alguien te promete un módulo de 512 Gb aunque todavía no sea comercial, cuesta no prestarle atención.
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¿Será este el principio del fin de la DRAM que conocemos? ¿O solo otra idea buena que nunca llegará a despegar?
Preguntas frecuentes (FAQ) sobre las futuras RAM de NEO Semiconductor
¿Qué propone NEO Semiconductor con sus nuevas celdas de memoria?
Ha lanzado los diseños 1T1C y 3T0C, con promesas de multiplicar por 10 la capacidad de la DRAM actual y mejorar el rendimiento general.
¿Qué significa 1T1C y 3T0C?
1T1C usa un transistor y un condensador; 3T0C emplea tres transistores sin condensador, reduciendo la complejidad y facilitando la escalabilidad.
¿Qué capacidad pueden alcanzar estos nuevos módulos?
Hasta 512 Gb por módulo, o 64 GB por chip, una cifra muy superior a la DRAM tradicional.
⚡ ¿Qué velocidad de acceso ofrecen estas memorias?
Lectura y escritura en solo 10 nanosegundos, lo cual es muy competitivo frente a tecnologías actuales.
⏱️ ¿Cuánta retención de datos tienen estas memorias?
Superan los 9 minutos de retención, algo destacable en memoria volátil.
¿Qué material permite esta tecnología?
El óxido IGZO (indio, galio y zinc), utilizado antes en pantallas, permite apilar celdas como en la memoria 3D NAND.
¿Pueden las fábricas actuales adaptarse fácilmente?
Sí, NEO asegura que bastarían unas pocas modificaciones en las fábricas de NAND 3D existentes.
¿Cuándo se espera que lleguen los primeros chips?
Los primeros chips de prueba están planeados para 2026.
️ ¿Qué opinó el CEO de NEO sobre este avance?
Andy Hsu dijo que estas nuevas celdas superan las limitaciones actuales de la DRAM y podrían marcar un cambio de paradigma.
⚔️ ¿Existen tecnologías competidoras?
Sí. Propuestas como DRAM+ basada en FeRAM también buscan el trono, mientras que empresas como SK hynix apuestan por mejorar la DRAM tradicional.