Samsung Electronics presentó la memoria más rápida: 8,5 Gbps por pin

Samsung presentó los chips de RAM LPDDR5X más rápidos, con una velocidad de transferencia de datos de 8,5 Gbps por contacto (modo LPDDR5X-8500).

Probados para que funcionen junto con los procesadores móviles Qualcomm Snapdragon, la compañía rompió la marca de 7,5 Gb/s en Marzo.

En un comunicado de prensa, dedicado al lanzamiento de chips de última generación, la empresa descubrió que la memoria LPDDR de baja potencia y alta velocidad tiene demanda no solo en dispositivos móviles, incluidos teléfonos inteligentes y computadoras portátiles; sino también en la computación de alto rendimiento (HPC).

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Así como en los segmentos de servidores y automotriz. En la industria automotriz, el almacenamiento de gran ancho de banda es relevante para las plataformas de piloto automático basadas en Inteligencia Artificial.

En los centros de datos, LPDDR se proporciona una reducción general en el consumo de energía del sistema, reduce los costos operativos, reduce las emisiones de carbono y reduce la generación de calor, lo que limita el impacto del centro de datos en el cambio climático.

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La demanda de chips de memoria avanzados continúa creciendo, siempre según Samsung, y la propia compañía espera expandir su presencia en los mercados de la Inteligencia Artificial y el Metaverso en el futuro.