La V-NAND de 400 capas de próxima generación de Samsung podrá almacenar más datos y contará con mayor confiabilidad para soluciones de almacenamiento avanzadas.
Samsung aumentará drásticamente las celdas de memoria para la próxima generación
Hace un mes, el gigante de los semiconductores Samsung inició la producción en masa de la memoria V-NAND QLC de novena generación cuyo objetivo es mejorar el rendimiento, la capacidad de almacenamiento y la fiabilidad de las soluciones de almacenamiento de próxima generación.
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Un informe reciente del Korean Economic Daily sugiere que Samsung ya ha planeado alcanzar un rendimiento aún mayor con la futura tecnología V-NAND.
Se dice que la compañía lanzará su V-NAND de próxima generación en 2026. Se trata de la V-NAND de décima generación, que, según se informa, contará con una configuración de 400 capas, superando a la V-NAND de novena generación actual en 120 capas.
Se trata de un aumento directo del 43 % en el número de capas en una sola generación, que es mucho mayor que la diferencia entre el recuento de capas en la V-NAND de octava generación y la de novena generación (236 frente a 280 capas).
Para lograr una cantidad tan alta de capas, Samsung implementará la tecnología NAND Bonding Vertical (BV) que será diferente del diseño CoP (Circuit on Periphery) actual.
El diseño CoP tiene los circuitos periféricos sobre la pila de memoria, mientras que el método de unión vertical comenzará con la fabricación por separado de los circuitos de almacenamiento y periféricos, seguida por la unión vertical.
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Esto no solo ayudará a Samsung a alcanzar una mayor capacidad, sino que también ayudará a reducir los daños en los circuitos durante el proceso de apilamiento. Se informa que la unión vertical será un método similar al Xtacking de YMTC y al CBA (CMOS Bonded Array) de Kioxia-Western Digital.
Con este método, se puede lograr una densidad de bits casi un 60% mayor, lo que aumentará drásticamente la capacidad de almacenamiento de las unidades de almacenamiento en el mismo espacio.
Pero Samsung no se detiene aquí. La compañía planea alcanzar mil capas de V-NAND pero probablemente no lo hará antes de 2027. Lo más probable es que esto se logre con la V-NAND de 11.ª generación, lo que marca un sólido aumento de 2,5 veces en el número de capas, lo que aumentará las tasas de E/S hasta en un 50 %.
En el departamento de memoria D-RAM, Samsung lanzará una memoria DRAM más rápida y mejor en 2027. Estará basada en la tecnología de 0a nm (<10 nm) y utilizará la tecnología VCT (transistor de canal vertical) para aumentar la capacidad de memoria de los módulos D-RAM.
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Con VCT, Samsung podrá diseñar memoria DRAM 3D construyendo los transistores verticalmente, mitigando eventualmente la interferencia de las celdas adyacentes.
El desarrollo de la D-RAM comenzará con la DRAM basada en 1c nm en 2025, la DRAM basada en 1d nm en 2026 y la D-RAM basada en 0a nm en 2027.
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