Los gigantes surcoreanos de semiconductores, Samsung Electronics y SK Hynix, publicarán sus resultados del cuarto trimestre de 2025 el 29 de enero de 2026, marcando la primera vez que ambas compañías presentan sus informes el mismo día.
Los analistas esperan ganancias históricas, impulsadas por la creciente demanda de memoria de alto ancho de banda (HBM) para inteligencia artificial y la limitada oferta de chips a nivel mundial.
Según Chosun Daily, Samsung proyecta una utilidad operativa de 20 billones de wones (~13.82 mil millones de dólares), lo que representaría un aumento interanual del 208%, mientras que SK Hynix podría superar los 18 billones de wones en ganancias operativas, superando sus propias estimaciones iniciales de 16–17 billones de wones.
Superciclo de Memoria Impulsado por IA
El incremento en las ganancias se debe a un cambio estructural en el mercado de memoria, con los fabricantes priorizando HBM para aceleradores de IA sobre la DRAM convencional para PCs y dispositivos móviles. Según TrendForce, los centros de datos de IA consumirán aproximadamente el 70% de toda la DRAM de alta gama en 2026.
Durante el último trimestre de 2025:
- Los precios de memoria aumentaron ~50%.
- Se proyecta un incremento adicional del 70% en 2026.
SK Hynix informó que su capacidad de HBM, DRAM y NAND está prácticamente agotada para 2026, mientras que Samsung advirtió que la escasez de chips de memoria seguirá elevando los precios en toda la industria, según declaraciones de Wonjin Lee, presidente de marketing global de Samsung.
Competencia intensa por HBM4
La carrera por la memoria HBM4 se intensifica, especialmente en contratos clave con Nvidia:
- SK Hynix: mostró en CES 2026 su HBM4 de 16 capas, con velocidades de 11.7 Gbps y ancho de banda superior a 2 TB/s, asegurando contratos importantes.
- Samsung: opta por DRAM 1c de sexta generación y tecnología de fundición avanzada para lograr mayores velocidades de transmisión y eficiencia energética.
Ambas compañías ya entregan muestras finales de HBM4 a Nvidia, y se espera que los volúmenes y precios se determinen en el primer trimestre de 2026. TrendForce estima que SK Hynix mantendrá una cuota de mercado dominante del 62% en suministros HBM4, mientras Samsung busca recuperar terreno.
Resultados récord y expectativas 2026
El fuerte impulso en ganancias permitirá a ambas empresas consolidar su liderazgo en el mercado de memoria para IA:
- Samsung: proyecta una utilidad operativa anual de ~150 billones de wones en 2026.
- SK Hynix: podría superar los 100 billones de wones, consolidándose en el “club de las utilidades operativas de 100 billones de wones”.
Estas cifras récord reflejan un superciclo de memoria, donde la demanda de chips para IA, centros de datos y aceleradores GPU supera la oferta global, beneficiando especialmente a los fabricantes surcoreanos.
Grandes inversiones de capital
Para satisfacer la demanda creciente y ampliar su capacidad de producción:
- SK Hynix: invertirá decenas de billones de wones en sus plantas M15X en Cheongju y el Cluster de Yongin, con un CAPEX superior a 30 billones de wones en 2026.
- Samsung: planea expandir la producción de HBM, aumentar la capacidad en Pyeongtaek y continuar desarrollando la fábrica Taylor en Texas, partiendo de los 40,9 billones de wones invertidos en 2025 en su división DS (Device Solutions).
Estas inversiones aseguran que ambas compañías puedan atender la demanda explosiva de memoria para IA, consolidando su liderazgo en el mercado global de semiconductores.
Implicaciones para la industria de semiconductores y centros de datos
El superciclo de memoria HBM tiene implicaciones clave:
- Centros de datos de IA: podrán ejecutar modelos de lenguaje y aprendizaje profundo más grandes y rápidos.
- Aceleradores GPU: Nvidia y AMD se beneficiarán de mayor ancho de banda y eficiencia energética.
- Precios y oferta global: la escasez sostenida de DRAM y HBM podría mantener precios elevados durante todo 2026.
Los analistas coinciden en que la competencia entre Samsung y SK Hynix definirá la estructura de precios y la distribución de la memoria HBM de próxima generación para toda la industria tecnológica.