Samsung Electronics anunció el inicio de los envíos de prueba de los primeros chips de memoria DRAM Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) de la industria con un ancho de banda de 24 Gb/s.
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Los productos se fabrican con la tecnología HKMG (High-K Metal Gate) que se utilizó por primera vez en la memoria Samsung GDDR6 en 2018.
A medida que las estructuras DRAM se encogen, la capa de aislamiento se vuelve más delgada, lo que genera más fugas de corriente. El reemplazar el aislador con material HKMG reduce las fugas y mejora el rendimiento.
Los nuevos chips GDDR6 de Samsung ofrecen un rendimiento aproximadamente un 33% más rápido que las soluciones de 18 Gb/s de la generación anterior.
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La memoria se utilizará en la próxima generación de aceleradoras de gráficos, incluidas las computadoras portátiles, la inteligencia artificial y los sistemas informáticos de alto rendimiento, las consolas de juegos, etc.
Los chips anunciados se fabricarán mediante un proceso de fotolitografía ultravioleta profunda (EUV) de clase 10 nanómetros (1z).
La nueva familia de chips GDDR6 de Samsung también ofrecerá opciones de bajo consumo para extender la vida útil de la batería de las computadoras portátiles.